⚡ 6x PARALEL MOSFET SÜRÜCÜ DEVRESİ ⚡

IRF540N N-Channel MOSFET (Vds=100V, Id=33A)
MOSFET'lerin üzerine gelin → Detaylı özellikler | Fare tekerleği ile zoom
6x PARALEL MOSFET BOBBIN SÜRÜCÜ DEVRESİ Ultra Yüksek Akım Kapasiteli (198A Max) - IRF540N ARDUINO MEGA 2560 Pin 3 (PWM) 5V Logic @ 16MHz PWM 5-20kHz GATE DRIVER 220Ω × 6 Gate Resistors (Parallel Sharing) GATE BUS PULL-DOWN 10kΩ × 6 Gate Safety MOSFET 1 IRF540N G D S 33A Max MOSFET 2 IRF540N G D S 33A Max MOSFET 3 IRF540N G D S 33A Max MOSFET 4 IRF540N G D S 33A Max MOSFET 5 IRF540N G D S 33A Max MOSFET 6 IRF540N G D S 33A Max DRAIN BUS (Parallel) DD COIL Ø28cm (11") Sarım: 50-70 tur İndüktans: 100-150 µH Direnç: 2-5 Ω (DC) Frekans: 5-20 kHz ⚡ MAX AKIM: 198A ⚡ +12V FREEWHEEL 6x 1N5822 Schottky (3A) Vf=0.5V, Fast Recovery GND HEAT SINK A Test Point GÜÇ ÖZELLİKLERİ TEK MOSFET: • Vds(max): 100V • Id(max): 33A @ 25°C • Rds(on): 44 mΩ @ 10V Vgs • Pd(max): 130W 6x PARALEL TOPLAM: • Id(total): 198A @ 25°C • Rds(on): 7.3 mΩ (paralel) • Pd(total): 780W • Güç Dağılımı: 130W/MOSFET ⚠️ ISI YÖNETİMİ: Ortak ısı emici kullanılmalı! HESAPLAMALAR Paralel Direnç: Rp = R/n = 44mΩ/6 ≈ 7.3mΩ Güç Kaybı (10A total): P = I² × R = 10² × 0.0073 P ≈ 0.73W (çok düşük!) Her MOSFET'te Akım: I(per) = I(total)/6 Örn: 60A total → 10A/MOSFET ⚡ PCB LAYOUT NOTLARI 1. Tüm MOSFET'ler ortak PCB üzerinde monte edilmeli 2. Gate hatları eşit uzunlukta olmalı (timing match) 3. Source pinleri doğrudan ground plane'e bağlanmalı 4. Drain hattı kalın bakır (min 3mm genişlik, 2oz copper) 5. Ortak aluminyum heat sink ile termal yönetim 6x IRF540N + 6x 220Ω + 6x 10kΩ + 6x 1N5822 + DD Coil + Driver IC Metal Detector v8.4 - Paralel MOSFET Tasarımı - 2024
Güç Hatları (12V DC, High Current)
Sinyal Hatları (PWM 5V Logic)
Toprak (GND) Hatları
Gate Sürücü Hatları

🎯 PARALEL BAĞLANTI AVANTAJLARI

  • 6x Akım Kapasitesi: 33A → 198A (teorik)
  • 1/6 Direnç: 44mΩ → 7.3mΩ
  • Düşük Isınma: Güç dağılımı 6 cihaza
  • Yüksek Güvenilirlik: 1 MOSFET arızası → Sistem çalışır
  • Düşük Gerilim Düşümü: 0.73V @ 100A
  • Yüksek Frekans Sürüş: 5-20 kHz kararlı

⚙️ IRF540N ÖZELLİKLERİ

  • Tip: N-Channel Power MOSFET
  • Vds(max): 100V (Drain-Source)
  • Id(max): 33A @ 25°C, 23A @ 100°C
  • Rds(on): 44mΩ @ Vgs=10V
  • Vgs(th): 2-4V (Threshold)
  • Pd(max): 130W @ 25°C
  • Paket: TO-220AB (Isı emiciye uygun)
  • Gate Charge: 71nC (hızlı switching)

🔧 MONTAJ TALİMATLARI

  • Tüm MOSFET'leri ortak aluminyum ısı emiciye monteleyin
  • Termal pad/macun kullanın (örn: Arctic MX-4)
  • Mounting torque: 0.5-0.6 Nm (M3 vida)
  • Elektriksel izolasyon için mika pad kullanın
  • Gate dirençlerini MOSFET pinlerine yakın yerleştirin
  • Drain hattı için kalın PCB trace (min 3mm)
  • Source pinlerini star-ground konfigürasyonunda toplayın

📊 PERFORMANS HESAPLARI

  • Total Current: 198A (6 × 33A)
  • Parallel Resistance: 7.3mΩ
  • Voltage Drop @ 100A: 0.73V
  • Power Loss @ 100A: 73W (12W/MOSFET)
  • Switching Frequency: 5-20 kHz
  • Gate Drive Power: ~0.5W total
  • Efficiency: >98% @ 10A, >95% @ 100A

⚠️ ÖNEMLİ UYARILAR VE NOTLAR

✅ PARALEL BAĞLANTI BAŞARILI OLURSA

🧮 GÜÇ KAYBI HESAPLAMA ÖRNEĞİ

Senaryo: 60A akım, 12V besleme

1. Her MOSFET'te Akım:
   I_per = I_total / n = 60A / 6 = 10A

2. Her MOSFET'te Güç Kaybı:
   P_per = I² × Rds(on)
   P_per = 10² × 0.044Ω = 4.4W

3. Toplam Güç Kaybı:
   P_total = n × P_per = 6 × 4.4W = 26.4W

4. Coil'e İletilen Güç:
   P_coil = V × I = 12V × 60A = 720W

5. Verimlilik:
   η = P_coil / (P_coil + P_loss)
   η = 720 / (720 + 26.4) = 96.5% ✅

SONUÇ: Çok yüksek verim, düşük ısınma!
            
Parametre Tek MOSFET 6x Paralel Kazanç
Maksimum Akım (Id) 33A @ 25°C 198A @ 25°C 6x artış
On Direnci (Rds) 44 mΩ 7.3 mΩ 1/6 azalma
Güç Kaybı @ 60A 158W (aşırı ısınır!) 26.4W (6 cihaza dağılır) 6x azalma
Voltaj Düşümü @ 60A 2.64V (yüksek) 0.44V (düşük) 6x iyileştirme
Maksimum Güç 130W 780W 6x artış
Termal Performans Yüksek sıcaklık Düşük sıcaklık Çok daha iyi
Güvenilirlik Tek nokta arıza Redundant sistem Toleranslı
Maliyet ~$1-2 ~$6-12 Değer/performans yüksek

📦 BİLEŞEN LİSTESİ